APC65R550KM_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻為460mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統能效。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的柵極驅動控制。得益于碳化硅材料的寬禁帶特性，器件具備優異的高溫工作能力、耐高壓性能及快速開關響應。適用于高效率功率轉換電路，如大功率開關電源、DC-DC變換器、可再生能源發電逆變裝置、儲能系統及高密度電源模塊，尤其適合對熱管理要求嚴苛、需減小無源元件體積與整體系統尺寸的應用場景。
