H1D04065BF-HXY_SMBF_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMBF 類別：碳化硅二極管 最小包裝：5000/圓盤 參數1：IF:4A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.3V 參數4：IR:10uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管具有4A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），適用于中高功率電力轉換電路。其正向導通壓降（VF）為1.3V，有助于降低導通損耗，提升系統能效。在反向關斷狀態下，漏電流（IR）典型值為10μA，具備良好的阻斷性能。得益于碳化硅材料的特性，器件具有快速開關速度和優異的高溫工作能力，適合用于高頻率開關電源、高效DC-DC變換器、服務器電源模塊及對功率密度要求較高的電力電子裝置，有助于減小磁性元件體積并優化熱管理設計。
