IPD60R360P7S-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的器件具備優異的高頻開關性能和高溫工作能力，適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、光伏逆變裝置、儲能系統中的直流變換模塊以及對功率密度和熱管理有較高要求的電力電子設備。
