HXY150N03NF-B_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有30V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS），適用于中等電壓開關應用。其連續漏極電流（ID）可達150A，導通電阻（RDON）低至2mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統效率。低RDON特性使其在大電流工作條件下仍能保持較低溫升，適用于高密度電源轉換、高效DC-DC變換模塊及高性能電機驅動電路中的功率開關。
