HXY5N10SI_SOT-89_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：1000/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:114mR 參數4：VGS:25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V漏源電壓（VDSS）和25V柵源電壓（VGS）耐壓能力，適用于中高壓開關電路。其連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻為114mΩ，可在一定功率范圍內有效降低導通損耗。N溝道結構在柵極施加適當正電壓時實現低阻導通，適合用于電源開關、直流變換器、充電管理模塊及負載控制電路。該器件具備良好的開關特性與熱穩定性，適用于消費類電子設備、便攜式裝置及嵌入式系統中的功率控制應用，滿足對效率與可靠性有一定要求的中等功率設計場景。
