HXYS32N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源電壓（VDSS）和32A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至75mΩ，在15V柵源電壓下可實現高效開關性能。采用寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高溫與耐高壓特性，適用于高功率密度電源轉換系統。其快速開關能力與低導通損耗特性，使其廣泛用于高效直流變換器、太陽能逆變裝置及高可靠性電力傳輸模塊中，是提升系統效率與功率密度的關鍵器件。
