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HXYS120N65MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:ID:120A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:15mR 參數4:VGS:15V 標價:歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅場效應管具備650V漏源電壓(VDSS)和120A連續漏極電流(ID),導通電阻低至15mΩ,柵源電壓為15V,適用于高功率密度電源轉換系統。采用碳化硅材料,具有優異的高頻開關能力與熱導性能,可顯著降低開關損耗與溫升。器件適用于高效直流-直流變換器、高壓逆變裝置、儲能系統中的功率調節模塊以及大功率開關電源設計。其快速體二極管響應與高耐壓特性,有助于提升系統能效與動態響應能力,適合對電氣性能和長期穩定性要求較高的應用場景。

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