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HXY2301CI_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤(pán) 參數(shù)1:ID:2.5A 參數(shù)2:VDSS:20V 參數(shù)3:RDON:100mR 參數(shù)4:VGS:12V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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該P(yáng)溝道場(chǎng)效應(yīng)管具備20V漏源電壓(VDSS)和12V柵源電壓(VGS),持續(xù)漏極電流為2.5A,導(dǎo)通電阻典型值為100mΩ。較低的RDSON有助于降低導(dǎo)通損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。適用于便攜式電子設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、電源開(kāi)關(guān)電路及負(fù)載管理模塊中的電壓控制。20V耐壓適配中低電壓工作環(huán)境,12V柵壓可兼容多種驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)功能。器件在直流電機(jī)控制、電源逆變及同步整流等場(chǎng)景中具備良好表現(xiàn),滿(mǎn)足高密度電路設(shè)計(jì)對(duì)小型化與高效能的需求。

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  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
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