HXY10P06MIS_SOT-223_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-223 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：1000/圓盤 參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:72mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場(chǎng)效應(yīng)管具備60V的漏源電壓（VDSS）和10A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至72mΩ（RDS(ON)），有助于降低功率損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為±20V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)控制。作為P溝道器件，其在高邊開關(guān)和負(fù)載切換應(yīng)用中具備電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔的優(yōu)勢(shì)。適用于各類電源管理模塊、便攜式設(shè)備電源控制、電池供電系統(tǒng)及直流負(fù)載的開關(guān)驅(qū)動(dòng)，廣泛用于需要高效、緊湊功率開關(guān)解決方案的電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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