HXY10G04S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:17mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管為N溝道與P溝道組合的功率MOSFET，N溝道部分具備40V漏源耐壓（VDSS）、10A連續漏極電流（ID）及17mΩ導通電阻（RDON），柵源電壓最高支持20V。器件采用雙溝道設計，適用于需要雙向開關或互補驅動的電路拓撲。其低導通電阻有助于降低功率損耗，提升轉換效率，常用于直流-直流變換模塊、便攜式設備的電源管理單元以及電池供電系統的充放電控制電路。雙極性結構可簡化同步整流或H橋驅動方案的設計，滿足對空間和能效有要求的應用需求。
