HXYT15N65F_TO-220F_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：50/管裝 參數1：集電極電流(Ic):15A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.79V 參數4：二極管正向電流(IF):15A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT器件具備15A的集電極連續電流能力，可承受最高650V的集射極電壓，適用于中高功率開關場景。其集射極飽和電壓為1.79V，在額定工況下導通損耗可控，有助于提升系統能效。內置反并聯二極管具有15A正向電流承載能力，正向壓降為1.68V，可有效支持續流需求。該器件適用于各類電力變換裝置，如逆變電源、開關電源及電機驅動電路，能夠滿足對高可靠性與穩定電氣性能要求較高的應用。
