HXYS6N170T6_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:6.7A 參數(shù)2：VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:700mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有1700V的高漏源電壓（VDSS）和6.7A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于高壓、高效率開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（RDON）為700mΩ，在同類高壓器件中具備較低的導(dǎo)通損耗。碳化硅材料特性使其在高頻、高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。該器件適用于高壓電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、可再生能源發(fā)電中的直流變換模塊、儲能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)電路，以及對能效和功率密度有較高要求的電力電子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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