HXYY17N65NF_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:17A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:100mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該氮化鎵晶體管為N溝道增強型高電子遷移率器件，具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可持續承載17A的漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為100mΩ。基于氮化鎵材料的寬禁帶特性，器件具有優異的開關速度與導通性能，適用于高頻率、高效率的功率轉換場景。典型應用包括高頻開關電源、高效AC-DC與DC-DC轉換模塊、無線充電發射端電路及高密度電源適配器，有助于提升系統功率密度并降低熱損耗。
