HXY60P03D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.2mR 參數4：VGS:25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有30V的漏源耐壓（VDSS）和25V的柵源電壓范圍（VGS），可承受最高60A的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDON）低至7.2mΩ，在同類器件中表現出優異的導通性能，有助于降低功率損耗并提升系統效率。P溝道結構適用于高邊開關及電源管理應用，能夠簡化柵極驅動電路設計。該器件廣泛用于各類電子設備的電源控制、負載開關及電池供電系統中，滿足對高可靠性和緊湊設計的需求。
