HXY10N65D_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:720mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和10A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于中高功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。其720mΩ的低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為±30V，具備較好的驅(qū)動(dòng)兼容性與穩(wěn)定性。器件結(jié)合高耐壓與適度電流能力，常用于電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洌鏏C-DC變換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器及高壓開(kāi)關(guān)電路，適用于對(duì)能效和空間布局有要求的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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