HXYS7N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:7A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:320mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的漏源擊穿電壓，支持7A的連續漏極電流，導通電阻為320mΩ。采用碳化硅材料，具備優異的開關特性和高溫穩定性，可有效降低開關損耗與系統熱耗散。其高耐壓與緊湊設計適合對空間和能效有要求的電力電子電路。典型應用場景涵蓋高壓直流變換器、高性能電源模塊以及可再生能源發電系統的功率轉換環節，適用于追求高效率與長期運行穩定性的電路設計方案。
