HXY4803AS_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.3A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)P溝道MOSFET采用雙N溝道設(shè)計(jì)，具備30V的漏源耐壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）能力，持續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)5.3A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至35mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件適用于中高功率開關(guān)應(yīng)用，如電源管理模塊、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、便攜式設(shè)備的負(fù)載切換以及同步整流電路。其低導(dǎo)通電阻和適中的電流能力使其在緊湊型設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性和響應(yīng)速度，適合對空間和能效有要求的嵌入式系統(tǒng)與電池供電裝置中的功率控制需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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