HXY100N02D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有20V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），連續(xù)漏極電流可達(dá)80A，導(dǎo)通電阻低至2.8mΩ，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換場景。其低RDON特性有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件適用于高密度直流電源模塊、便攜式電子設(shè)備的功率管理電路以及電池供電系統(tǒng)的開關(guān)控制，可作為同步整流或負(fù)載開關(guān)使用。該MOSFET采用緊湊型封裝，利于節(jié)省PCB空間，適合對熱性能和電氣性能要求較高的應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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