HXYY17N65JF_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:17A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:100mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該氮化鎵晶體管為N溝道增強型高電子遷移率器件，具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可持續承載17A的漏極電流（ID）。其導通電阻（RDON）低至100mΩ，有助于降低開關與導通損耗，提升系統能效。得益于氮化鎵材料的高頻特性，該器件適用于高頻率、高效率的電源轉換拓撲，如高效AC-DC功率因數校正、DC-DC變換器以及射頻能量應用，可有效減小磁性元件與電容體積，實現緊湊型電源系統設計。
