HXY10H03S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:11.5A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該NN溝道場效應管采用雙MOSFET設計，單顆導通電阻低至10mΩ，有效降低導通損耗。其30V的漏源耐壓和20V柵源電壓范圍支持穩定工作，最大連續漏極電流可達11.5A，適用于高效率電源轉換與負載開關應用。器件具備優異的開關特性與熱穩定性，適合用于同步整流、DC-DC變換模塊及電機驅動電路中，滿足高性能電路對低功耗與高密度布局的需求。
