HXYY10N70D_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:700V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該氮化鎵晶體管為N溝道增強型高電子遷移率晶體管（HEMT），具備10A的連續漏極電流（ID）和700V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻低至160mΩ。該器件利用氮化鎵材料的高電子遷移率特性，實現更快的開關速度與更高的功率轉換效率。適用于高頻率、高效率的電源轉換應用，如開關模式電源、DC-DC變換器、無線充電模塊及高密度電源適配器等場景，有助于減小無源器件尺寸并提升系統整體能效。
