HXYS63N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓工作環(huán)境，支持63A的連續(xù)漏極電流（ID），具備較強電流承載能力。其導通電阻（RDON）低至32mΩ，可顯著降低導通損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓（VGS）為15V，驅動電壓適中，兼容常見驅動電路。得益于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的開關速度與高溫工作穩(wěn)定性，常用于高功率密度電源轉換系統(tǒng)、可再生能源發(fā)電裝置及高壓直流配電模塊中的開關與調節(jié)功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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