HXY49N05T_TO-263_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:49A 參數(shù)2：VDSS:55V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有55V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）能力，持續(xù)漏極電流可達49A（ID），導(dǎo)通電阻低至9mΩ。器件采用高電流傳導(dǎo)設(shè)計，適用于大電流開關(guān)應(yīng)用，可有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。其低電阻特性使其適合用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換電路，如同步整流模塊、直流電機驅(qū)動及電池供電設(shè)備中的功率控制。在需要高效能、低發(fā)熱的電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出良好的電氣性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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