HXYS85N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:85A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和85A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至16mΩ，適用于高功率密度與高效率要求的電源系統。基于碳化硅材料的優異特性，器件具備出色的耐壓能力與熱穩定性，可實現快速開關響應，有效降低開關損耗。其高性能參數使其廣泛應用于大功率直流電源轉換、高壓逆變系統及高頻率開關電源模塊中，適合對系統效率和散熱設計有嚴格要求的電力電子設備。
