HXYS29N65MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和37A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為60mΩ，柵源電壓范圍支持至15V。采用碳化硅材料，器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出低開關(guān)損耗與優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。適用于高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高壓直流變換、不間斷電源、可再生能源逆變裝置及高密度功率模塊。其快速響應(yīng)特性和高耐壓能力有助于提升系統(tǒng)能效，尤其適合在緊湊型設(shè)計與高溫環(huán)境中長期穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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