HXY16N65T_TO-263_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:16A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:450mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS）能力，可持續通過16A的漏極電流（ID）。其導通電阻（RDSON）為450mΩ，在高電壓應用中可有效控制導通損耗。適用于高電壓開關電源、直流-直流轉換電路以及需要高壓功率控制的場合，作為關鍵開關元件實現電能轉換與調節。N溝道結構配合高耐壓特性，適合用于要求高效率與穩定性的功率管理系統中。
