HXYS32N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:15V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備1200V的漏源電壓（VDSS）和32A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至75mΩ，在15V柵源電壓下可實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐壓能力與熱穩(wěn)定性。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、高壓直流變換器及儲能系統(tǒng)的功率因數(shù)校正電路，可提升系統(tǒng)整體能效與工作頻率，減小無源器件體積，滿足嚴(yán)苛工況下的長期可靠運(yùn)行需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
