HXYS5N170PF_TO-3PF_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：VGS:22V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有5A連續漏極電流和1700V的漏源擊穿電壓，適用于高電壓隔離與功率轉換場景。其導通電阻為800mΩ，在高溫與高頻工作條件下仍能保持較低導通損耗。柵源額定電壓達±22V，具備較強的驅動穩定性與抗干擾能力。得益于碳化硅材料特性，器件具有優異的開關速度與熱性能，可應用于高壓直流變換、高效電源模塊、可再生能源逆變裝置及緊湊型電力電子系統，適合對功率密度與能效要求較高的設計需求。
