HXY50N06NF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具備60V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，適用于中高電壓功率場景。其連續(xù)漏極電流為50A，導通電阻典型值為12mΩ，有助于減少大電流下的功率損耗，提高系統(tǒng)整體能效。器件具有優(yōu)異的開關(guān)速度與熱穩(wěn)定性，適用于直流電源變換、電池供電設(shè)備的功率控制、開關(guān)電源模塊以及高效率電機驅(qū)動電路，可滿足多種高性能功率管理需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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