HXYS63N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備1200V漏源電壓（VDSS）和63A連續漏極電流能力，導通電阻（RDS(on)）低至32mΩ，在15V柵源電壓下可實現高效導通。采用碳化硅材料，顯著提升器件的開關速度與耐高溫性能，減少能量損耗。適用于高功率密度的直流-直流轉換器、高壓逆變裝置、儲能系統及大功率開關電源，可在高頻工作條件下保持良好熱穩定性與電氣可靠性，滿足對能效和空間利用率要求較高的電力轉換場景。
