HXY70N07D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有60V的漏源耐壓（VDSS）和20V的柵源電壓范圍（VGS），持續漏極電流可達80A（ID），導通電阻低至6mΩ。器件具備優異的電流傳導能力與低功耗特性，適用于高電流開關電路。其極低的導通電阻有效減少工作時的熱量積累，提升系統能效。常用于高性能電源管理單元、便攜式大功率設備、電動工具驅動電路及大電流DC-DC轉換模塊，適合對導通損耗敏感、要求高效率功率控制的電子系統應用。
