STP30N65DM6AG-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的高擊穿電場強(qiáng)度與優(yōu)異熱導(dǎo)率，器件在高頻開關(guān)和高效率功率轉(zhuǎn)換場景中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于對體積、效率及熱性能有較高要求的電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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