R6535KNZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備32A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。其結(jié)構(gòu)基于碳化硅半導(dǎo)體材料，具有較高的開關(guān)速度和較低的導(dǎo)通損耗，在高頻運行條件下仍能維持良好的效率與熱性能。適用于對功率密度、轉(zhuǎn)換效率及長期穩(wěn)定性有明確要求的電源系統(tǒng)，尤其適合在緊湊型高電壓應(yīng)用場景中使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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