STW20N65M5-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻為165mΩ。柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。碳化硅材料帶來的高熱導率和低開關損耗特性，使其適用于高頻、高效率的電源轉換系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能設備中的功率開關環節。
