STDLED656-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）為5.3A，導通電阻（RDS(on)）為820mΩ。其柵源驅動電壓范圍（VGS）為-8V至!9V，支持較寬的驅動電平，有助于提升開關可靠性。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫性能與開關特性，適用于高頻電源轉換、光伏逆變器、服務器電源及高效率充電設備等對能效和體積敏感的應用場合。
