MSJW20N65A-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有25A的連續漏極電流（ID）和800V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為165mΩ。柵源電壓范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅動條件，有助于提升開關控制的可靠性。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻工作時仍能保持較低的開關與導通損耗，適用于對效率、熱管理及功率密度有較高要求的電力電子系統。
