TK170V65Z,LQ_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續漏極電流與800V的漏源擊穿電壓，導通電阻為165mΩ，可在柵源電壓-8V至@0V范圍內可靠運行。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度和低導通損耗特性，該器件適用于高頻、高效率的電力轉換系統，如通信電源、光伏逆變器及高密度開關電源等場合，在提升系統整體能效和減小散熱需求方面具有顯著優勢。
