IMBG65R083M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:31A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為31A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源電壓VGS范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高電壓和高頻工作條件下展現出較低的導通與開關損耗。適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高頻電力電子設備，能夠在嚴苛電氣環境中保持穩定性能，并支持多種驅動方案。
