AOT66918L_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備120A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至4.1毫歐。其低阻特性有效減小了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適用于高電流、高效率要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。器件在高頻開(kāi)關(guān)操作中表現(xiàn)出良好的動(dòng)態(tài)性能，適合用于電機(jī)控制、不間斷電源、電池管理系統(tǒng)等對(duì)電氣性能和熱穩(wěn)定性有較高要求的場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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