STP19NM65N-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，額定漏極電流ID為9A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為306mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對(duì)效率和開關(guān)性能要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景，可在高頻工作條件下保持穩(wěn)定輸出，適合用于電源管理、可再生能源系統(tǒng)及高密度功率變換等應(yīng)用領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
