FCP125N65S3_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源系統。其電氣參數適合用于對熱性能和能效有較高要求的電力電子場合。
