SIHP100N65E-GE3-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道結構，最大漏極電流ID為30A，漏源擊穿電壓VDSS達650V，導通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓與大電流條件下仍保持較低的導通損耗和良好的開關性能，適用于對效率和熱管理要求較高的電力轉換系統。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，適合多種拓撲結構中的高頻開關應用。
