STP26N65DM2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有800V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至165mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-10V至@5V，具備良好的柵極控制特性與開關穩定性。得益于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，器件可在高頻、高溫環境下可靠運行，廣泛用于高效電源模塊、可再生能源逆變系統、高密度開關電源及高壓直流變換裝置中，有助于提升系統整體能效與功率密度。
