IPL65R099C7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和高頻開關能力，在高效率電源系統、可再生能源轉換裝置以及高功率密度電力電子設備中可有效降低導通與開關損耗，提升整體能效和系統響應速度。
