STL45N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升整體能效表現，在高頻率運行條件下仍可維持較低的溫升，適合用于各類高效電力電子裝置中。
