IPL65R115CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備37A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高電壓、高頻率工作條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對能效和功率密度有較高要求的電源轉換及電力電子應用，有助于簡化散熱設計并提升系統整體效率。
