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FDS6672A_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:ID:18A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:5mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢

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該N溝道MOSFET具有18A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDS(ON))為5毫歐,最大柵源電壓(VGS)可達20V。器件在中等功率應用中表現出較低的導通損耗和良好的熱穩定性,適用于開關電源、負載開關、電池保護電路以及便攜式設備中的功率管理模塊。其電氣參數支持高效能與緊湊型設計需求。

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