IPL65R165CFDAUMA2-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料優(yōu)勢，在高頻開關(guān)條件下保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)中的功率變換模塊以及對熱性能和體積有嚴(yán)苛要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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