SPW20N60C3FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，具有優異的高頻開關性能和較低的導通損耗，適用于高效率電源、光伏逆變器、不間斷電源及高頻變換器等應用場合，在提升系統效率的同時有助于降低整體熱設計負擔。
