NTMT190N65S3H_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備25A的漏極電流能力與800V的漏源耐壓，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強和低導通損耗特性，在高電壓、高頻率的開關應用中可實現高效能量轉換。適用于對效率、熱管理和緊湊布局有明確需求的電源系統，能夠在維持穩定性能的同時降低整體功率損耗。
